lastnosti izdelka
VRSTA
OPIŠI
kategorijo
Diskretni polprevodniški izdelki
Tranzistor – FET, MOSFET – enojni
proizvajalec
Infineon Technologies
serije
CoolGaN™
Paket
Trak in kolut (TR)
Strižni pas (CT)
Kolut po meri Digi-Reel®
Stanje izdelka
prekinjeno
tip FET
N kanal
tehnologija
GaNFET (galijev nitrid)
Odvodna napetost (Vdss)
600V
Tok pri 25 °C – neprekinjen odtok (Id)
31A (Tc)
Pogonska napetost (Max Rds On, Min Rds On)
-
Upornost pri vklopu (največja) pri različnih Id, Vgs
-
Vgs(th) (največ) pri različnih ID-jih
1,6 V pri 2,6 mA
Vgs (maks.)
-10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) pri različnih Vds (maks.)
380pF pri 400V
FET funkcija
-
Disipacija moči (maks.)
125 W (Tc)
delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
vrsto namestitve
Vrsta površinske montaže
Embalaža dobaviteljeve naprave
PG-DSO-20-87
Paket/Ohišje
20-PowerSOIC (0,433″, širina 11,00 mm)
Osnovna številka izdelka
IGOT60
Mediji in prenosi
VRSTA VIR
POVEZAVA
Specifikacije
IGOT60R070D1
Priročnik za izbiro GaN
CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMTs Brief
Drugi povezani dokumenti
GaN v adapterjih/polnilnikih
GaN v strežnikih in telekomunikacijah
Resničnost in kvalifikacija CoolGaN
Zakaj CoolGaN
GaN pri brezžičnem polnjenju
video datoteka
CoolGaN™ 600V e-mode HEMT pol-most platforma za ocenjevanje z GaN EiceDRIVER™
CoolGaN™ – nova paradigma moči
2500 W totem pole ocenjevalna plošča PFC s polnim mostom z uporabo CoolGaN™ 600 V
Specifikacije HTML
CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMTs Brief
IGOT60R070D1
Okolje in izvozna klasifikacija
LASTNOSTI
OPIŠI
RoHS status
Skladno s specifikacijo ROHS3
Raven občutljivosti na vlago (MSL)
3 (168 ur)
Status REACH
Izdelki, ki niso REACH
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095